1、后面长存推出64层堆栈闪存，储存密度能直接比肩韩国厂商的96层堆栈，最后长存索性直接跳过96层堆栈研发，直接搞出了128层堆栈 这个时候，长存闪存芯。 2、层堆栈 TLC VNAND 闪存 这里的 V 代表 Vertical ，垂直的意思 ，正式开启了闪存芯片的 “ 堆叠战 ” 在过去十年，三星更是把闪存芯片叠成了 “ 赛博高。 3...